IPP086N10N3GXKSA1
IPP086N10N3GXKSA1
Cikkszám:
IPP086N10N3GXKSA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12200 Pieces
Adatlap:
IPP086N10N3GXKSA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPP086N10N3GXKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPP086N10N3GXKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPP086N10N3GXKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 75µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO-220-3
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8.6 mOhm @ 73A, 10V
Teljesítményleadás (Max):125W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Más nevek:IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G-ND
IPP086N10N3G
SP000680840
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:IPP086N10N3GXKSA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 50V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):6V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):100V
Leírás:MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások