megvesz IPP037N08N3GHKSA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPP037N08N3GHKSA1
- Cikkszám:
- IPP037N08N3GHKSA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19205 Pieces
- Adatlap:
- IPP037N08N3GHKSA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPP037N08N3GHKSA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPP037N08N3GHKSA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 155µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO-220-3 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 214W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | SP000435332 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IPP037N08N3GHKSA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 8110pF @ 40V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPP037N08N3GHKSA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP037N08N3GE8181XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | Vizsgálat |
|
IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | Vizsgálat |
|
IPP032N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | Vizsgálat |
|
IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog