megvesz IPL65R190E6AUMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPL65R190E6AUMA1
- Cikkszám:
- IPL65R190E6AUMA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 4VSON
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18600 Pieces
- Adatlap:
- IPL65R190E6AUMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPL65R190E6AUMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPL65R190E6AUMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 700µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-VSON-4 |
| Sorozat: | CoolMOS™ E6 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 151W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 4-PowerTSFN |
| Más nevek: | SP001074938 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | IPL65R190E6AUMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1620pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 4VSON |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPL65R190E6AUMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R340CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R660E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R310E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | Vizsgálat |
|
IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | Vizsgálat |
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
 |
IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R725CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R460CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R420E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | Vizsgálat |
|
IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog