megvesz IPG20N10S4L35ATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPG20N10S4L35ATMA1
- Cikkszám:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Leírás:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19703 Pieces
- Adatlap:
- IPG20N10S4L35ATMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPG20N10S4L35ATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPG20N10S4L35ATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 16µA |
|---|---|
| Szállító eszközcsomag: | PG-TDSON-8-4 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 17A, 10V |
| Teljesítmény - Max: | 43W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-PowerVDFN |
| Más nevek: | SP000859022 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Gyártási szám: | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1105pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.4nC @ 10V |
| FET típus: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET funkció: | Logic Level Gate |
| Bővített leírás: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPG20N10S4L35ATMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N10S436AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
|
IPG20N10S4L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
 |
IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 | Vizsgálat |
|
IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
|
IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
 |
IPG20N10S4L22ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
|
IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
|
IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Vizsgálat |
|
IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog