megvesz IPD65R380C6ATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPD65R380C6ATMA1
- Cikkszám:
- IPD65R380C6ATMA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12686 Pieces
- Adatlap:
- IPD65R380C6ATMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD65R380C6ATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD65R380C6ATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 320µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ C6 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 83W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | IPD65R380C6ATMA1-ND IPD65R380C6ATMA1TR SP001117734 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 12 Weeks |
| Gyártási szám: | IPD65R380C6ATMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 710pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 650V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPD65R380C6ATMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD65R380E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD65R400CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-252 | Vizsgálat |
|
IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD65R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD65R380E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD65R950CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252 | Vizsgálat |
|
IPD65R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD65R1K4CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog