megvesz IPD60R600C6BTMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPD60R600C6BTMA1
- Cikkszám:
- IPD60R600C6BTMA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18969 Pieces
- Adatlap:
- IPD60R600C6BTMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD60R600C6BTMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD60R600C6BTMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 63W (Tc) |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | IPD60R600C6BTMA1DKR IPD60R600C6INDKR IPD60R600C6INDKR-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IPD60R600C6BTMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPD60R600C6BTMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R650CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R600CPBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 | Vizsgálat |
|
IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | Vizsgálat |
 |
IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Vizsgálat |
|
IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD60R600P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R600CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252 | Vizsgálat |
|
IPD60R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog