megvesz IPD60R380E6BTMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPD60R380E6BTMA1
- Cikkszám:
- IPD60R380E6BTMA1
- Leírás:
- MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Nem alkalmazható / Nem alkalmazható
- elérhető mennyiség:
- 13650 Pieces
- Adatlap:
- IPD60R380E6BTMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD60R380E6BTMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD60R380E6BTMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 300µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
| Sorozat: | CoolMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 83W (Tc) |
| Csomagolás: | Bulk |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Gyártási szám: | IPD60R380E6BTMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 100V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | Super Junction |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPD60R380E6BTMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R380P6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R385CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 | Vizsgálat |
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | Vizsgálat |
|
IPD60R380E6ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R385CPBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | Vizsgálat |
|
IPD60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | Vizsgálat |
|
IPD60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog