megvesz IPD50N06S4L12ATMA2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPD50N06S4L12ATMA2
- Cikkszám:
- IPD50N06S4L12ATMA2
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13138 Pieces
- Adatlap:
- IPD50N06S4L12ATMA2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD50N06S4L12ATMA2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD50N06S4L12ATMA2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 20µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3-11 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 50W (Tc) |
| Csomagolás: | Original-Reel® |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | IPD50N06S4L12ATMA2DKR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 26 Weeks |
| Gyártási szám: | IPD50N06S4L12ATMA2 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2890pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPD50N06S4L12ATMA2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD50N06S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S2L13ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S214ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S214ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
 |
IPD50N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | Vizsgálat |
|
IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers