IPD26N06S2L35ATMA2
IPD26N06S2L35ATMA2
Cikkszám:
IPD26N06S2L35ATMA2
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15956 Pieces
Adatlap:
IPD26N06S2L35ATMA2.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD26N06S2L35ATMA2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD26N06S2L35ATMA2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPD26N06S2L35ATMA2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 26µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO252-3-11
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 13A, 10V
Teljesítményleadás (Max):68W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:IPD26N06S2L35ATMA2-ND
IPD26N06S2L35ATMA2TR
SP001063630
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:26 Weeks
Gyártási szám:IPD26N06S2L35ATMA2
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:621pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások