IPD135N03L G
IPD135N03L G
Cikkszám:
IPD135N03L G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13179 Pieces
Adatlap:
IPD135N03L G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD135N03L G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD135N03L G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPD135N03L G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO252-3
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:13.5 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):31W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Más nevek:IPD135N03L GTR
IPD135N03L GTR-ND
IPD135N03LGATMA1
SP000796912
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IPD135N03L G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások