megvesz IPD082N10N3GATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 75µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
Sorozat: | OptiMOS™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 73A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 125W (Tc) |
Csomagolás: | Original-Reel® |
Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Más nevek: | IPD082N10N3GATMA1DKR |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 14 Weeks |
Gyártási szám: | IPD082N10N3GATMA1 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 6V, 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
Leírás: | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |