megvesz IPD053N08N3GATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPD053N08N3GATMA1
- Cikkszám:
- IPD053N08N3GATMA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12065 Pieces
- Adatlap:
- IPD053N08N3GATMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPD053N08N3GATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPD053N08N3GATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO252-3 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 150W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | IPD053N08N3GATMA1-ND IPD053N08N3GATMA1TR SP001127818 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 14 Weeks |
| Gyártási szám: | IPD053N08N3GATMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 6V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPD053N08N3GATMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | Vizsgálat |
|
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | Vizsgálat |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | Vizsgálat |
|
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Vizsgálat |
 |
FQD13N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK | Vizsgálat |
|
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
 |
IRFBC40ASTRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK | Vizsgálat |
 |
DMTH4004LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 40V 100A TO252 | Vizsgálat |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Vizsgálat |
 |
TK12V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN | Vizsgálat |
|
SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog