IPB80N06S3L-05
IPB80N06S3L-05
Cikkszám:
IPB80N06S3L-05
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18480 Pieces
Adatlap:
IPB80N06S3L-05.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB80N06S3L-05, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB80N06S3L-05 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB80N06S3L-05 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 115µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-3-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 69A, 10V
Teljesítményleadás (Max):165W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:IPB80N06S3L-05-ND
IPB80N06S3L-05INTR
IPB80N06S3L05XT
SP000102221
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:IPB80N06S3L-05
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:13060pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:273nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 55V 80A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):55V
Leírás:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások