megvesz IPB180N06S4H1ATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPB180N06S4H1ATMA1
- Cikkszám:
- IPB180N06S4H1ATMA1
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15912 Pieces
- Adatlap:
- IPB180N06S4H1ATMA1.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB180N06S4H1ATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB180N06S4H1ATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO263-7-3 |
| Sorozat: | OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 250W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Más nevek: | IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4-H1-ND SP000415562 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | IPB180N06S4H1ATMA1 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 21900pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPB180N06S4H1ATMA1-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB180N08S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180N06S4H1ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180N03S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S4L01ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180P04P4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S3-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S400ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | Vizsgálat |
|
IPB180N03S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S302ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S4LH0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | Vizsgálat |
|
IPB180N04S4H0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog