megvesz IPB120N06S4H1ATMA2 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
IPB120N06S4H1ATMA2
- Cikkszám:
- IPB120N06S4H1ATMA2
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17373 Pieces
- Adatlap:
- IPB120N06S4H1ATMA2.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB120N06S4H1ATMA2, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB120N06S4H1ATMA2 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-TO263-3-2 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 250W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Más nevek: | SP001028782 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 14 Weeks |
| Gyártási szám: | IPB120N06S4H1ATMA2 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 21900pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az IPB120N06S4H1ATMA2-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N06S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | Vizsgálat |
|
IPB120N06S402ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N06S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N06S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N06N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263 | Vizsgálat |
|
IPB120N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Vizsgálat |
|
IPB120N08S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog