IPB080N03L G
IPB080N03L G
Cikkszám:
IPB080N03L G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15260 Pieces
Adatlap:
IPB080N03L G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB080N03L G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB080N03L G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB080N03L G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:8 mOhm @ 30A, 10V
Teljesítményleadás (Max):47W (Tc)
Csomagolás:Original-Reel®
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:IPB080N03L GDKR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IPB080N03L G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások