IPB025N08N3 G
IPB025N08N3 G
Cikkszám:
IPB025N08N3 G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13769 Pieces
Adatlap:
IPB025N08N3 G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB025N08N3 G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB025N08N3 G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB025N08N3 G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-2
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 100A, 10V
Teljesítményleadás (Max):300W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:IPB025N08N3 G-ND
IPB025N08N3G
IPB025N08N3GATMA1
SP000311980
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:IPB025N08N3 G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:14200pF @ 40V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:206nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):6V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):80V
Leírás:MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások