IPB011N04L G
IPB011N04L G
Cikkszám:
IPB011N04L G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19398 Pieces
Adatlap:
IPB011N04L G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója IPB011N04L G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét IPB011N04L G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz IPB011N04L G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TO263-7-3
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.1 mOhm @ 100A, 10V
Teljesítményleadás (Max):250W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Más nevek:IPB011N04L G-ND
IPB011N04L GTR
IPB011N04LG
IPB011N04LGATMA1
SP000391498
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:14 Weeks
Gyártási szám:IPB011N04L G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:29000pF @ 20V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:346nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 40V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):4.5V, 10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):40V
Leírás:MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások