HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F-GR(TE85L,F
Cikkszám:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Gyártó:
Toshiba Semiconductor
Leírás:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18199 Pieces
Adatlap:
HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója HN3C51F-GR(TE85L,F, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét HN3C51F-GR(TE85L,F e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz HN3C51F-GR(TE85L,F BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):120V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tranzisztor típusú:2 NPN (Dual)
Szállító eszközcsomag:SM6
Sorozat:-
Teljesítmény - Max:300mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SC-74, SOT-457
Más nevek:HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:HN3C51F-GR(TE85L,F
Frekvencia - Átmenet:100MHz
Bővített leírás:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Leírás:TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások