megvesz HGTD3N60C3S9A BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
HGTD3N60C3S9A
- Cikkszám:
- HGTD3N60C3S9A
- Gyártó:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Leírás:
- IGBT 600V 6A 33W TO252AA
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 13815 Pieces
- Adatlap:
- HGTD3N60C3S9A.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója HGTD3N60C3S9A, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét HGTD3N60C3S9A e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 3A |
| Teszt állapot: | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | - |
| Energiaváltás: | 85µJ (on), 245µJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-252AA |
| Sorozat: | - |
| Teljesítmény - Max: | 33W |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | HGTD3N60C3S9A |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | - |
| Gate Charge: | 10.8nC |
| Bővített leírás: | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA |
| Leírás: | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 24A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 6A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az HGTD3N60C3S9A-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGH25N120A | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | Vizsgálat |
 |
APT102GA60L | Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO264 | Vizsgálat |
 |
IRG7PH46UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A COPAK247 | Vizsgálat |
 |
NGTB50N60SWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 50A TO247 | Vizsgálat |
 |
IXGP10N60A | IXYS | IGBT 600V 20A 100W TO220AB | Vizsgálat |
 |
IRG4BC30F-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 100W D2PAK | Vizsgálat |
 |
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | Vizsgálat |
 |
RJH60V1BDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | Vizsgálat |
|
NGTB75N60FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 75A TO247 | Vizsgálat |
|
IRG4BC20K-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | Vizsgálat |
 |
SGH20N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 32A 195W TO3P | Vizsgálat |
 |
IXER35N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247 | Vizsgálat |
 |
FGP30N6S2D | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO220AB | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog