megvesz GPA030A135MN-FDR BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
GPA030A135MN-FDR
- Cikkszám:
- GPA030A135MN-FDR
- Leírás:
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14358 Pieces
- Adatlap:
- GPA030A135MN-FDR.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója GPA030A135MN-FDR, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét GPA030A135MN-FDR e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1350V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 30A |
| Teszt állapot: | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Td (be / ki) @ 25 ° C: | 30ns/145ns |
| Energiaváltás: | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-3PN |
| Sorozat: | - |
| Hátralévő helyreállítási idő (trr): | 450ns |
| Teljesítmény - Max: | 329W |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-3 |
| Más nevek: | 1560-1221-1 1560-1221-1-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | GPA030A135MN-FDR |
| Bemeneti típus: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 300nC |
| Bővített leírás: | IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN |
| Leírás: | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Jelenlegi - kollektoros impulzusos (Icm): | 90A |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GPA030A135MN-FDR-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB4B60KD1PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W TO220AB | Vizsgálat |
 |
IRG4PC40U | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | Vizsgálat |
 |
GPA030A120MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN | Vizsgálat |
 |
IXGH34N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247AD | Vizsgálat |
 |
GPA030A120I-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO247 | Vizsgálat |
|
IXGH25N100U1 | IXYS | IGBT 1000V 50A 200W TO247AD | Vizsgálat |
 |
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | Vizsgálat |
 |
IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4 | Vizsgálat |
 |
APT60GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 500W TO247 | Vizsgálat |
 |
RJH60D3DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 35A 30W TO220FL | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog