megvesz GP2M002A060HG BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
GP2M002A060HG
- Cikkszám:
- GP2M002A060HG
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 2A TO220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17979 Pieces
- Adatlap:
- GP2M002A060HG.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója GP2M002A060HG, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét GP2M002A060HG e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 52.1W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | GP2M002A060HG |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 2A TO220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GP2M002A060HG-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
GP2M002A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A | Vizsgálat |
 |
GP2M002A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | Vizsgálat |
 |
GP2M002A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F | Vizsgálat |
 |
GP2M002A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 | Vizsgálat |
|
GP2M002A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | Vizsgálat |
|
GP2M002A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK | Vizsgálat |
|
GP2M002A060FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 2A TO220F | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers