megvesz GP1M010A060H BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
GP1M010A060H
- Cikkszám:
- GP1M010A060H
- Leírás:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 19200 Pieces
- Adatlap:
- GP1M010A060H.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója GP1M010A060H, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét GP1M010A060H e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 198W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | 1560-1175-1 1560-1175-1-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | GP1M010A060H |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1891pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 600V 10A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 600V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az GP1M010A060H-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M015A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A TO220 | Vizsgálat |
 |
GP1M016A025PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 250V 16A IPAK | Vizsgálat |
 |
GP1M010A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | Vizsgálat |
 |
GP1M010A080N | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN | Vizsgálat |
|
GP1M015A050FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 14A TO220F | Vizsgálat |
|
GP1M010A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F | Vizsgálat |
|
GP1M010A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 | Vizsgálat |
|
GP1M011A050FSH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 10A TO220F | Vizsgálat |
|
GP1M016A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 16A TO220F | Vizsgálat |
|
GP1M011A050FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 11A TO220F | Vizsgálat |
|
GP1M012A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 12A TO220F | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog