GP1M009A070F
GP1M009A070F
Cikkszám:
GP1M009A070F
Gyártó:
Global Power Technologies Group
Leírás:
MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
18079 Pieces
Adatlap:
GP1M009A070F.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója GP1M009A070F, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét GP1M009A070F e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz GP1M009A070F BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220F
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):52W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-220-3 Full Pack
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:GP1M009A070F
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1944pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 700V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):700V
Leírás:MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások