megvesz GA20JT12-247 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
---|---|
Technológia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Szállító eszközcsomag: | TO-247AB |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 70 mOhm @ 20A |
Teljesítményleadás (Max): | 282W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
Más nevek: | 1242-1188 GA20JT12247 |
Üzemi hőmérséklet: | 175°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
Gyártási szám: | GA20JT12-247 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET típus: | - |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
Leírás: | TRANS SJT 1.2KV 20A |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |