megvesz GA04JT17-247 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
---|---|
Vgs (Max): | 3.45V |
Technológia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Szállító eszközcsomag: | TO-247AB |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 4A |
Teljesítményleadás (Max): | 106W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-247-3 |
Más nevek: | 1242-1134 GA04JT17247 |
Üzemi hőmérséklet: | 175°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 18 Weeks |
Gyártási szám: | GA04JT17-247 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET típus: | - |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | 1700V (1.7kV) 4A (Tc) (95°C) 106W (Tc) Through Hole TO-247AB |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | - |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
Leírás: | TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) (95°C) |
Email: | [email protected] |