FQI9N08TU
FQI9N08TU
Cikkszám:
FQI9N08TU
Gyártó:
Fairchild/ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14910 Pieces
Adatlap:
FQI9N08TU.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FQI9N08TU, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FQI9N08TU e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz FQI9N08TU BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:I2PAK (TO-262)
Sorozat:QFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 4.65A, 10V
Teljesítményleadás (Max):3.75W (Ta), 40W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:FQI9N08TU
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:7.7nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 80V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):80V
Leírás:MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások