megvesz FQI17N08TU BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | I2PAK |
Sorozat: | QFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 8.25A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 3.13W (Ta), 65W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | FQI17N08TU |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 80V 16.5A (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc) Through Hole I2PAK |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
Leírás: | MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 16.5A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |