megvesz FQD20N06LETM BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
FQD20N06LETM
- Cikkszám:
- FQD20N06LETM
- Gyártó:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15987 Pieces
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FQD20N06LETM, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FQD20N06LETM e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | D-Pak |
| Sorozat: | QFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 8.6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | FQD20N06LETM |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 665pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FQD20N06LETM-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD20N06TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD20N06LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD20N06LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD20N06TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK | Vizsgálat |
 |
STH240N10F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | Vizsgálat |
 |
SPA03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220 | Vizsgálat |
 |
AO7415 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 | Vizsgálat |
 |
BSS138NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 | Vizsgálat |
 |
FCU3400N80Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A IPAK | Vizsgálat |
 |
BSO201SP H | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC | Vizsgálat |
 |
IPD12CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 | Vizsgálat |
 |
BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog