megvesz FQD12N20TM BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
FQD12N20TM
- Cikkszám:
- FQD12N20TM
- Gyártó:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Leírás:
- MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12245 Pieces
- Adatlap:
- 1.FQD12N20TM.pdf2.FQD12N20TM.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FQD12N20TM, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FQD12N20TM e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | D-Pak |
| Sorozat: | QFET® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Más nevek: | FQD12N20TM-ND FQD12N20TMFSTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Gyártási szám: | FQD12N20TM |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 910pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 200V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FQD12N20TM-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
FQD12N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD12N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD12N20LTM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD12P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD12N20TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | Vizsgálat |
 |
EPC2032 | EPC | TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE | Vizsgálat |
 |
SI8407DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP | Vizsgálat |
|
FQD12P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Vizsgálat |
|
FQD12P10TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog