FESB8JTHE3/45
FESB8JTHE3/45
Cikkszám:
FESB8JTHE3/45
Gyártó:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Leírás:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13979 Pieces
Adatlap:
1.FESB8JTHE3/45.pdf2.FESB8JTHE3/45.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FESB8JTHE3/45, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FESB8JTHE3/45 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz FESB8JTHE3/45 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Előre (Vf) (Max) @ Ha:1.5V @ 8A
Feszültség - DC Fordított (Vr) (Max):600V
Szállító eszközcsomag:TO-263AB
Sebesség:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sorozat:-
Hátralévő helyreállítási idő (trr):50ns
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Működési hőmérséklet - csatlakozás:-55°C ~ 150°C
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:30 Weeks
Gyártási szám:FESB8JTHE3/45
Bővített leírás:Diode Standard 600V 8A Surface Mount TO-263AB
Diódatípus:Standard
Leírás:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Jelenlegi - Fordított Szivárgás @ Vr:10µA @ 600V
Aktuális - Átlagosan korrigált (Io):8A
Capacitance @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások