megvesz FDP8N50NZ BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | TO-220-3 |
Sorozat: | UniFET™ |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 850 mOhm @ 4A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 130W (Tc) |
Csomagolás: | Tube |
Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Through Hole |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
Gyártási szám: | FDP8N50NZ |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 735pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Bővített leírás: | N-Channel 500V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 500V |
Leírás: | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |