FDMS3669S
FDMS3669S
Cikkszám:
FDMS3669S
Gyártó:
Fairchild/ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
15649 Pieces
Adatlap:
FDMS3669S.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FDMS3669S, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FDMS3669S e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz FDMS3669S BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-PQFN (5x6), Power56
Sorozat:PowerTrench®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 13A, 10V
Teljesítmény - Max:1W
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:FDMS3669STR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:26 Weeks
Gyártási szám:FDMS3669S
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1605pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
FET típus:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET funkció:Logic Level Gate
Bővített leírás:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:13A, 18A
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások