megvesz FDFS2P102 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | 8-SOIC |
Sorozat: | - |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 3.3A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 900mW (Ta) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | FDFS2P102_NL FDFS2P102_NLTR FDFS2P102_NLTR-ND FDFS2P102TR |
Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Gyártási szám: | FDFS2P102 |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 270pF @ 10V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
FET típus: | P-Channel |
FET funkció: | Schottky Diode (Isolated) |
Bővített leírás: | P-Channel 20V 3.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Leírás: | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 3.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |