FDB070AN06A0
FDB070AN06A0
Cikkszám:
FDB070AN06A0
Gyártó:
Fairchild/ON Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
17140 Pieces
Adatlap:
FDB070AN06A0.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója FDB070AN06A0, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét FDB070AN06A0 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz FDB070AN06A0 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:D²PAK (TO-263AB)
Sorozat:PowerTrench®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 80A, 10V
Teljesítményleadás (Max):175W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Más nevek:FDB070AN06A0-ND
FDB070AN06A0TR
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:6 Weeks
Gyártási szám:FDB070AN06A0
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 15A (Ta), 80A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:15A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások