DTA123JET1G
DTA123JET1G
Cikkszám:
DTA123JET1G
Gyártó:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
14521 Pieces
Adatlap:
DTA123JET1G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DTA123JET1G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DTA123JET1G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz DTA123JET1G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce telítettség (Max) Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tranzisztor típusú:PNP - Pre-Biased
Szállító eszközcsomag:SC-75, SOT-416
Sorozat:-
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm):47k
Ellenállás - alap (R1) (Ohm):2.2k
Teljesítmény - Max:200mW
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:SC-75, SOT-416
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:DTA123JET1G
Frekvencia - Átmenet:-
Bővített leírás:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Leírás:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Aktuális - Collector Cutoff (Max):500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások