DMTH6010SCT
Cikkszám:
DMTH6010SCT
Gyártó:
Diodes Incorporated
Leírás:
MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
16250 Pieces
Adatlap:
DMTH6010SCT.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMTH6010SCT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMTH6010SCT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz DMTH6010SCT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220-3
Sorozat:Automotive, AEC-Q101
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:7.2 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.8W (Ta), 125W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Más nevek:DMTH6010SCTDI-5
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:8 Weeks
Gyártási szám:DMTH6010SCT
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:1940pF @ 30V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:36.3nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):60V
Leírás:MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások