megvesz DMTH6010SCT BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMTH6010SCT
- Cikkszám:
- DMTH6010SCT
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 16250 Pieces
- Adatlap:
- DMTH6010SCT.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMTH6010SCT, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMTH6010SCT e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TO-220-3 |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 20A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 2.8W (Ta), 125W (Tc) |
| Csomagolás: | Tube |
| Csomagolás / tok: | TO-220-3 |
| Más nevek: | DMTH6010SCTDI-5 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Through Hole |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | DMTH6010SCT |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1940pF @ 30V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 36.3nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMTH6010SCT-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMTH6010LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A | Vizsgálat |
|
DMTH6010LPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI | Vizsgálat |
 |
DMTH6010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 | Vizsgálat |
|
DMTH6010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252 | Vizsgálat |
|
DMTH6010LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 | Vizsgálat |
|
DMTH6010SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 16.3A | Vizsgálat |
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMTH6016LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI | Vizsgálat |
 |
DMTH6010SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 | Vizsgálat |
 |
DMTH6016LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog