megvesz DMT8012LSS-13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMT8012LSS-13
- Cikkszám:
- DMT8012LSS-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 15582 Pieces
- Adatlap:
- DMT8012LSS-13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMT8012LSS-13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMT8012LSS-13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
| Sorozat: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 16.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.5W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | DMT8012LSS-13DITR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | DMT8012LSS-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1949pF @ 40V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 80V |
| Leírás: | MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 9.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMT8012LSS-13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
TP5322N8-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3 | Vizsgálat |
 |
DMT8012LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252 | Vizsgálat |
 |
DMT8012LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8 | Vizsgálat |
 |
DMT8012LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | Vizsgálat |
|
DMT8012LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8 | Vizsgálat |
 |
STP9NK70ZFP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-220FP | Vizsgálat |
 |
SIA436DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L | Vizsgálat |
 |
FDT458P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 | Vizsgálat |
 |
BUK7608-40B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | Vizsgálat |
 |
SIHP8N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB | Vizsgálat |
 |
NDD04N60ZT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK | Vizsgálat |
 |
BSS138W L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog