megvesz DMS3014SSS-13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMS3014SSS-13
- Cikkszám:
- DMS3014SSS-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17693 Pieces
- Adatlap:
- DMS3014SSS-13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMS3014SSS-13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMS3014SSS-13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.55W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Más nevek: | DMS3014SSS-13DITR DMS3014SSS13 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | DMS3014SSS-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2296pF @ 15V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 45.7nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | Schottky Diode (Body) |
| Bővített leírás: | N-Channel 30V 10.4A (Ta) 1.55W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMS3014SSS-13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMS3016SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO | Vizsgálat |
 |
BUK761R3-30E,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | Vizsgálat |
 |
DMS3014SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMS3017SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO | Vizsgálat |
|
DMS3012SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMS3016SSSA-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.8A SO-8 | Vizsgálat |
|
DMS3012SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 | Vizsgálat |
|
DMS3016SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8 | Vizsgálat |
|
DMS3015SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | Vizsgálat |
|
DMS3019SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers