megvesz DMN65D8LFB-7 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN65D8LFB-7
- Cikkszám:
- DMN65D8LFB-7
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14367 Pieces
- Adatlap:
- DMN65D8LFB-7.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN65D8LFB-7, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN65D8LFB-7 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | X1-DFN1006-3 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 115mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 430mW (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 3-UFDFN |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN65D8LFB-7 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 260mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN65D8LFB-7-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323 | Vizsgálat |
 |
DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Vizsgálat |
 |
DMN65D8LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | Vizsgálat |
 |
DMN65D8LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | Vizsgálat |
|
DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 | Vizsgálat |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | Vizsgálat |
 |
HUFA76609D3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA | Vizsgálat |
|
DMN65D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | Vizsgálat |
|
DMN65D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 | Vizsgálat |
 |
BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK | Vizsgálat |
 |
IXTH12N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog