megvesz DMN63D8LW-13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN63D8LW-13
- Cikkszám:
- DMN63D8LW-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18980 Pieces
- Adatlap:
- DMN63D8LW-13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN63D8LW-13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN63D8LW-13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-323 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 300mW (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SC-70, SOT-323 |
| Más nevek: | DMN63D8LW-13DITR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN63D8LW-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 23.2pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.9nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 30V 380mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 380mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN63D8LW-13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN63D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SOT523 | Vizsgálat |
 |
DMN63D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323 | Vizsgálat |
 |
DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Vizsgálat |
|
DMN63D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Vizsgálat |
 |
DMN63D1LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 | Vizsgálat |
|
DMN63D1L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23 | Vizsgálat |
|
DMN63D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | Vizsgálat |
|
DMN63D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 | Vizsgálat |
 |
DMN63D8LV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 | Vizsgálat |
|
DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Vizsgálat |
|
DMN63D1LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323 | Vizsgálat |
|
DMN63D1LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers