megvesz DMN62D0LFB-7 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN62D0LFB-7
- Cikkszám:
- DMN62D0LFB-7
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 18845 Pieces
- Adatlap:
- DMN62D0LFB-7.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN62D0LFB-7, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN62D0LFB-7 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 3-X1DFN1006 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 100mA, 4V |
| Teljesítményleadás (Max): | 470mW (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 3-UFDFN |
| Más nevek: | DMN62D0LFB-7DI |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 16 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN62D0LFB-7 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 32pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.45nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 60V 100mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN62D0LFB-7-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | Vizsgálat |
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | Vizsgálat |
|
DMN62D0UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | Vizsgálat |
 |
DMN62D0UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | Vizsgálat |
 |
DMN62D0UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A | Vizsgálat |
 |
DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN | Vizsgálat |
 |
DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN | Vizsgálat |
|
DMN62D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | Vizsgálat |
|
DMN62D0UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323 | Vizsgálat |
|
DMN62D1SFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN | Vizsgálat |
|
DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN | Vizsgálat |
|
DMN62D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog