megvesz DMN3033LSN-7 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN3033LSN-7
- Cikkszám:
- DMN3033LSN-7
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17138 Pieces
- Adatlap:
- DMN3033LSN-7.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN3033LSN-7, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN3033LSN-7 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SC-59-3 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.4W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | DMN3033LSN7 DMN3033LSNDITR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN3033LSN-7 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 755pF @ 10V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 30V 6A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SC-59-3 |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 4.5V, 10V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 30V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN3033LSN-7-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | Vizsgálat |
 |
DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Vizsgálat |
 |
DMN3033LSNQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | Vizsgálat |
 |
DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 | Vizsgálat |
 |
DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 | Vizsgálat |
 |
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | Vizsgálat |
|
DMN3033LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Vizsgálat |
|
DMN3033LSNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | Vizsgálat |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | Vizsgálat |
|
DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | Vizsgálat |
|
DMN3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | Vizsgálat |
|
DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers