megvesz DMN10H220L-13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN10H220L-13
- Cikkszám:
- DMN10H220L-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 14445 Pieces
- Adatlap:
- DMN10H220L-13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN10H220L-13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN10H220L-13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | SOT-23 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.3W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Más nevek: | DMN10H220L-13DITR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN10H220L-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 401pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.3nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN10H220L-13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 | Vizsgálat |
 |
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | Vizsgálat |
 |
DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 | Vizsgálat |
 |
DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 | Vizsgálat |
|
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 | Vizsgálat |
|
DMN10H220LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 | Vizsgálat |
|
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | Vizsgálat |
 |
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog