megvesz DMN10H170SVTQ-13 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
DMN10H170SVTQ-13
- Cikkszám:
- DMN10H170SVTQ-13
- Gyártó:
- Diodes Incorporated
- Leírás:
- MOSFET N-CH 100V TSOT26
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 12777 Pieces
- Adatlap:
- DMN10H170SVTQ-13.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója DMN10H170SVTQ-13, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét DMN10H170SVTQ-13 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | TSOT-26 |
| Sorozat: | - |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.2W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 8 Weeks |
| Gyártási szám: | DMN10H170SVTQ-13 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 100V TSOT26 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az DMN10H170SVTQ-13-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Vizsgálat |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | Vizsgálat |
 |
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Vizsgálat |
 |
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Vizsgálat |
|
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Vizsgálat |
|
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Vizsgálat |
|
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Vizsgálat |
|
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Vizsgálat |
 |
DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog