megvesz CSD13303W1015 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
CSD13303W1015
- Cikkszám:
- CSD13303W1015
- Gyártó:
- Leírás:
- MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólom / RoHS megfelel
- elérhető mennyiség:
- 18893 Pieces
- Adatlap:
- CSD13303W1015.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója CSD13303W1015, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét CSD13303W1015 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | 6-DSBGA |
| Sorozat: | NexFET™ |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.65W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Más nevek: | 296-39990-2 CSD13303W1015-ND |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| A gyártó szabványos leadási ideje: | 6 Weeks |
| Gyártási szám: | CSD13303W1015 |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 715pF @ 6V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.7nC @ 4.5V |
| FET típus: | N-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | N-Channel 12V 31A (Ta) 1.65W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
| Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 2.5V, 4.5V |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 12V |
| Leírás: | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az CSD13303W1015-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
|
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | Vizsgálat |
|
CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | Vizsgálat |
|
CSD13306W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.5A | Vizsgálat |
|
CSD13385F5T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | Vizsgálat |
|
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | Vizsgálat |
|
CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | Vizsgálat |
|
CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR | Vizsgálat |
|
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | Vizsgálat |
|
CSD13380F3T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | Vizsgálat |
|
CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | Vizsgálat |
|
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | Vizsgálat |
|
CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | Vizsgálat |
|
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog