BUK7E1R6-30E,127
BUK7E1R6-30E,127
Cikkszám:
BUK7E1R6-30E,127
Gyártó:
NXP Semiconductors / Freescale
Leírás:
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
12310 Pieces
Adatlap:
BUK7E1R6-30E,127.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BUK7E1R6-30E,127, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BUK7E1R6-30E,127 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz BUK7E1R6-30E,127 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:I2PAK
Sorozat:TrenchMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:1.6 mOhm @ 25A, 10V
Teljesítményleadás (Max):349W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Más nevek:568-9848-5
934066509127
BUK7E1R630E127
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 175°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Gyártási szám:BUK7E1R6-30E,127
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:11960pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:154nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 30V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások