BSZ900N20NS3 G
BSZ900N20NS3 G
Cikkszám:
BSZ900N20NS3 G
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
13918 Pieces
Adatlap:
BSZ900N20NS3 G.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSZ900N20NS3 G, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSZ900N20NS3 G e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz BSZ900N20NS3 G BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 30µA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TSDSON-8
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:90 mOhm @ 7.6A, 10V
Teljesítményleadás (Max):62.5W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:BSZ900N20NS3G
BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GTR
SP000781806
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:10 Weeks
Gyártási szám:BSZ900N20NS3 G
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 100V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:11.6nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:N-Channel 200V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):200V
Leírás:MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:15.2A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások