BSZ180P03NS3EGATMA1
BSZ180P03NS3EGATMA1
Cikkszám:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Gyártó:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Leírás:
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
19032 Pieces
Adatlap:
BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf

Bevezetés

Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSZ180P03NS3EGATMA1, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSZ180P03NS3EGATMA1 e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
megvesz BSZ180P03NS3EGATMA1 BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával

Műszaki adatok

Vgs (th) (Max) @ Id:3.1V @ 48µA
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:PG-TSDSON-8
Sorozat:OptiMOS™
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 20A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.1W (Ta), 40W (Tc)
Csomagolás:Tape & Reel (TR)
Csomagolás / tok:8-PowerTDFN
Más nevek:BSZ180P03NS3E G
BSZ180P03NS3E G-ND
SP000709740
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:12 Weeks
Gyártási szám:BSZ180P03NS3EGATMA1
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2220pF @ 15V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET típus:P-Channel
FET funkció:-
Bővített leírás:P-Channel 30V 9A (Ta), 39.5A (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):30V
Leírás:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 39.5A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások