megvesz BSP170PE6327T BYCHPS-vel
Vásároljon garanciával
BSP170PE6327T
- Cikkszám:
- BSP170PE6327T
- Leírás:
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- Ólommentes állapot / RoHS állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- elérhető mennyiség:
- 17045 Pieces
- Adatlap:
- BSP170PE6327T.pdf
Bevezetés
Az BYCHIPS az állomány forgalmazója BSP170PE6327T, rendelkezünk a készletekkel az azonnali szállításhoz és hosszú távú szállításhoz is kapható. Kérjük, küldje el nekünk a vásárlási tervét BSP170PE6327T e-mailben, a lehető legjobb árat adjuk meg a tervnek megfelelően.
Műszaki adatok
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Szállító eszközcsomag: | PG-SOT223-4 |
| Sorozat: | SIPMOS® |
| RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Teljesítményleadás (Max): | 1.8W (Ta) |
| Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
| Csomagolás / tok: | TO-261-4, TO-261AA |
| Más nevek: | BSP170PE6327XTINTR |
| Üzemi hőmérséklet: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Szerelési típus: | Surface Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Gyártási szám: | BSP170PE6327T |
| Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 410pF @ 25V |
| Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| FET típus: | P-Channel |
| FET funkció: | - |
| Bővített leírás: | P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 60V |
| Leírás: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az BSP170PE6327T-hoz
| Kép | Cikkszám | Gyártók | Leírás | Kilátás |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | Vizsgálat |
|
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | Vizsgálat |
 |
IXFT32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | Vizsgálat |
|
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 | Vizsgálat |
 |
NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL | Vizsgálat |
|
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | Vizsgálat |
 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON | Vizsgálat |
|
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | Vizsgálat |
|
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | Vizsgálat |
|
BSP171PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | Vizsgálat |
|
BSP171PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | Vizsgálat |
 |
MMBF170Q-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3 | Vizsgálat |
|
ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | Vizsgálat |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog